Memória RAM Goodram GR2666S464L19S/16G DDR4 2666MHz 16GB CL19

REF: GR2666S464L19S/16G
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EAN: 5908267960691

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Descrição

Os módulos de memória DDR4 Goodram são projetados para as plataformas Intel mais recentes. A geração DDR4 é atualmente o formato mais popular em todos os módulos de memória, escolhido pelos utilizadores.

Características:

  • Pronta para jogar: A memória GOODRAM DDR4 está disponível em configurações de canal único e duplo (8, 16, 32 GB). A taxa de clock faz do GOODRAM uma excelente escolha, não importa que tipo de tarefa precise de ser executada.
  • A mais alta qualidade = Garantia Vitalícia: Todos os módulos de memória GOODRAM são fabricados na Polónia (Europa) a partir de componentes altamente selecionados e passam por testes de qualidade em vários estágios antes de seguirem para venda. O Departamento de Controlo de Qualidade da marca garante que cada módulo esteja perfeitamente preparado para muitos anos de uso, por isso a Goodram oferece uma garantia vitalícia de fabricante.
  • Eficiência de energia e operação estável: Em comparação com as soluções anteriores, os módulos DDR4 têm uma tensão de alimentação de 1,2 V, reduzindo os custos operacionais e aumentando a economia de energia em até 40%. O layout diferente do PCB do DDR4 em comparação com as gerações anteriores aumenta significativamente a resistência a danos mecânicos, bem como picos de tensão dentro do dispositivo. Como resultado, os módulos DDR4 são caracterizados pela sua fiabilidade e estabilidade, mesmo sob as condições operacionais mais desfavoráveis.

Goodram GR2666S464L19S/16G SO-DIMM DDR4 Especificações:

  • Características
    • Tipo de memória armazenada: Unregistered (unbuffered)
    • Latência CAS: 19
    • Capacidade da memória incorporada: 16 GB
    • Configuração da memória (módulos x dimensões): 1 x 16 GB
    • Tipo de memória interna: DDR4
    • Velocidade do clock de memória: 2666 MHz
    • Componente para: Computador portátil
    • Factor de forma de memória: 260-pin SO-DIMM
    • ECC: Não
    • Classificação de memória: 1
    • Voltagem de memória: 1.2 V
    • Configuração do módulo: 1024M x 8
  • Embalagem
    • Tipo de embalagem: Plástico de bolhas

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