Disco SSD MSI SPATIUM M570 1TB PCIe 5.0 Gen5x4 2280 NVMe M.2 Heatsink

Do universo MSI chega-nos a unidade de armazenamento SPATIUM M570, com velocidades e desempenho incríveis. Leve o seu sistema a um nível superior, com o MSI SPATIUM M570.

• Super-carregado, com GEN 5: Esta é a evolução do desempenho de armazenamento da próxima geração, que une a mais recente tecnologia de controlador PCIe Gen 5 e flash NAND 3D de nova geração, oferecendo velocidades de leitura/escrita até 1,5x mais rápidas em comparação com os SSDs da geração anterior.
• Velocidade de topo! Otimizado para a interface PCIe Gen5, o SSD SPATIUM M570 atinge velocidades de leitura/escrita até 10.000/10.000 MB/s*, permitindo rápidas transferências de dados e tempos de carregamento mais curtos nos jogos.
  *Valores dependentes da capacidade selecionada.
• Dissipador de calor feito em alumínio: O SPATIUM M570 possui um lindo dissipador de calor feito em alumínio cor de bronze, com uma estrutura de lâminas empilhadas, que dissipa o calor com eficiência e permite que o SSD mantenha o máximo desempenho mesmo sob cargas pesadas.
• Alcance um potencial ilimitado: A segurança de dados integrada e os recursos de correção de erros estendem a resistência e a longevidade do armazenamento flash NAND, permitindo que quebre recordes nos jogos, ou leve o seu talento a um nível mais alto.
• Construído para vencer: Com atitude gamer, os SSDs SPATIUM foram otimizados para ampla largura de banda e desempenho de alta performance, permitindo que espere menos ao carregar jogos, e para que a vitória seja sempre sua, graças à latência mínima.

Especificações:

• Nome do modelo SPATIUM M570 PCIe 5.0 NVMe M.2 HS
• Capacidade 1 TB
• Controlador PHISON E26
• Memória Flash 3D NAND
• Cache de DRAM LPDDR4 de 2 GB
• Formato M.2 2280
• Interface PCIe Gen5x4, NVMe 2.0
• Compatibilidade PCIe Gen5 / Gen4 / Gen3 / Gen2 / Gen1
• Dimensões: 80,40 mm (comprimento) x 23,00 mm (largura) x 20,40 mm (altura) (com dissipador de calor)
• Leitura sequencial até (MB/s) 9500
• Escrita sequencial até (MB/s) 8500
• Leitura aleatória 4 KB até (IOPS) 1.300.000
• escrita aleatória 4 KB até (IOPS) 1.500.000
• Potência operacional máxima (W) 10
• Temperaturas de operação 0°C – 70°C
• Temperaturas de armazenamento -40°C – 85°C
• Terabytes escritos (TBW) 700
• Tempo médio entre falhas: (MTBF) Até 1.600.000 Horas
• Garantia de fabricante limitada de 5 anos, ou cobertura para TBW máximo listado (o que ocorrer primeiro).
• Características avançadas:
  • TRIM (otimização de desempenho, compatibilidade com sistema operativo necessária)
  • SMART (tecnologia de auto-monitorização, análise e criação de relatórios)
  • Algoritmo ECC LDPC (verificação de paridade de baixa densidade)
  • Proteção de caminho de dados de ponta a ponta APST (Autonomous Power State Transition)